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마음 속 하늘은 항상 맑음~!
비교적 적은 부품으로 전류 드라이버를 만들 수 있는 PT4115로 회로를 구성해봤는데 생각했던 것과는 달랐다. 회로 구성이 전류를 조정하는 저항이 좀 낮은게 단점이지만 부품 개수가 칩을 포함해서 5개만 있으면 가능한 간단한 구성이라서 나름 효율적인데, 문제는 6V이상에서만 제대로 구동이 된다. 보다 낮은 전압이나 미약한 전류에도 작동하도록 하려면 OP-AMP와 전류 측정저항을 이용하는 방법이 더 나은 것 같다. 데이터시트를 보면 0.1/R 로 전류량을 제한하는데 300mA의 정전류로 만들려면 0.33 저항을 사용하면 된다. 만능기판에 구성한 회로에서는 최대 315mA까지 나오는 것 같다. 0.1/R은 최대 전류치이고 DIM 핀을 통해서 PWM이나 최대 2.5V를 인가하는 것으로 전류를 조정하는 것도 가능..
오래전에 아두이노에 10밀리옴 INA226 직류 전류 센서로 전류 장치를 만들다가 잠시 보류했다가 다시 만졌다. 그런데 테스트 중에 직류 전류값이 너무 크게 나와서 보니, 보정값을 대충 저항값으로 연산해서 설정하는데 그 값이 순수 저항값에 센서 기판이나 납땜등에 의한 이유로 약간 큰 차이가 있었던 듯. 결국 10밀리옴이었던 션트 저항치를 26밀리옴으로 조정하니 테스터에서 잰 값과 비슷한 적정값이 나왔다. 센서에는 전압과 전력값이 있는데 무슨 이유인지 정확히 나오지 않는다. 그리고 밀리값으로 읽는 정수형은 제대로 극성에 따라 +와 -값이 나오는데 실수형은 연산쪽에 문제가 있는지 극성과 상관없이 항상 -값이 자주 찍힌다. 아마 라이브러리 자체의 버그인 듯. 여튼 가장 중요한건 10밀리옴의 션트이지만 추가적인..
혼용해서 메모리를 쓰는 경우에는 젠2는 좀 더 엄격한 구성을 필요로 하는 것 같다. 젠+의 경우에는 CPU에 가까운 메모리 슬롯에 타이밍이 느린 램(SPD 정보에서 ns 타이밍이 높은 램)을 꽂고 젠2의 경우에는 CPU에 가까운 메모리 슬롯에 타이밍이 빠른 램(SPD 정보에서 ns 타이밍이 낮은 램)을 꽂는게 더 안정적인 것 같다. 메모리 컨트롤러의 미세한 차이가 있는 듯. Micron 모듈의 램이 다 그런건 아니겠지만 조금 오래된 램들(2017년 이전)은 tRDDS 값을 +1 해주는 것이 tRC나 tRAS를 +1 해주는 것보다 나은 것 같다. RDDS는 뱅크 사이의 RAS 딜레이 값인데 같은 뱅크의 RAS 딜레이 값인 tRDDL과는 비슷한 기능의 다른 값이다. tRDDS를 설정할 때 주의점은 tRDDS..