혼용해서 메모리를 쓰는 경우에는 젠2는 좀 더 엄격한 구성을 필요로 하는 것 같다.

 

 젠+의 경우에는 CPU에 가까운 메모리 슬롯에 타이밍이 느린 램(SPD 정보에서 ns 타이밍이 높은 램)을 꽂고

 젠2의 경우에는 CPU에 가까운 메모리 슬롯에 타이밍이 빠른 램(SPD 정보에서 ns 타이밍이 낮은 램)을 꽂는게 더 안정적인 것 같다.

 

 메모리 컨트롤러의 미세한 차이가 있는 듯.

 

 Micron 모듈의 램이 다 그런건 아니겠지만 조금 오래된 램들(2017년 이전)은 tRDDS 값을 +1 해주는 것이 tRC나 tRAS를 +1 해주는 것보다 나은 것 같다. RDDS는 뱅크 사이의 RAS 딜레이 값인데 같은 뱅크의 RAS 딜레이 값인 tRDDL과는 비슷한 기능의 다른 값이다. tRDDS를 설정할 때 주의점은 tRDDS * 4의 값이 tFAW에서 2를 뺀 값과 비슷해야 한다(+2로 여유분을 두는 듯). tRDDS * 4 값이 tFAW 값보다 크면 안된다.

 

 03/17

 tRDDS로도 12일 정도가 지나자 레어 오류가 나와서 tFAW를 +1하고 테스트. 램컨 특성이라는게 참.

 tFAW는 전체 뱅크를 한번 돈다는 느낌으로 tRDDS * 4이지만 안정화에 tRDDS * 5나 tRDDS * 8로 설정하곤 함.

 

 03/23

 Zen2 메모리 안정화에는 tFAW 조정만큼 좋은게 없는 것 같다. 특히 XMP프로파일이 아니더래도 XMP의 클럭을 사용하는 경우에는 tFAW는 tRDDS * 5.5 5.6 ~ tRDDS * 6 혹은 tFAW(min) + tRDDS + 2 으로 해주면 훨씬 안정적인 상태가 되는 것 같다.

 

 03/28

 tFAW+1를 늘리는 것은 LiveKernelEvent 144(대부분은 그래픽카드 오류)를 제거하는데 효과적. wakeup이후에 여전히 발생하긴 하는데 그 오류가 딱 한번만 발생하고 안정화된다. tFAW+2를 하면 wakeup 이후에도 거의 발생하지 않는 것 같다.

 

 p.s.

 그냥 XMP램을 쓰면 SoC의 전압을 +0.02정도로 조금만 올려주는게 더 안정적인 듯. 다른 메모리 타이밍 문제가 아니었던 것 같다(수율 뽑기가 실패했다는 말도 된다).

 단, 타 메인보드 회사보다 인가 전압이 높다는 이야기가 있는 기가바이트 메인보드에서는 SoC전압값 올리는건 신중해야한다.

 

 

 

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 오랜동안 메모리 안정성에 대한 작업이 이루어졌지만 모든 메모리가 잘 맞는 것은 아니다.

 그래서 타이밍 외의 다른 메모리 컨트롤러의 값을 조정하여 안정화시키는 방법에 대한 내용을 보고 대충 이해한 부분만 대충 써본다.

 

 1. 메모리 타이밍의 경우에는 Tras 값을 늘리면 1차적인 타이밍 안정화가 이루어진다.

 2. 미세한 안정화를 위해 RTT PARK 값을 조정한다. 이는 시계의 분침 같은 것으로 ProcODT보다 세밀한 조정값이나 대부분 40~48만 사용한다. 더 높은 클럭의 경우에는 80까지 가는데 3200의 경우에는 48값을 넘을 일이 거의 없다.

 3. 그래도 안정화가 어렵다면 ProcODT값을 조정한다. 60이 한계값이나 더 높일수도 있다. 대부분 53.3이 기본값이다. ProcODT는 시계의 시침 같은 것으로 RTT PARK값보다 더 큰 값으로 단계를 조정한다. 40~60이 기본값이다.

 4. CAD 값은 초침 같은 것인데 값을 조정할 일이 없을 것이라 본다.

 

 미세한 안정성에는 RTT PARK 값을 조정하고 부팅시 메모리 호환성과 안정성에는 ProcODT를 사용하면 좋다고 본다.

 RTT PARK나 ProcODT 모두 높은 값일수록 안정성을 향상시키지만 항상 그 한계치가 있다는 것도 명심해야 한다.

 

 

 

 

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 새로운 라이젠 메모리 계산기가 나오면서 메모리 기판의 패턴에 대한 내용이 있길래 살짝 가져왔다.

 

 A0는 등거리(같은 거리) 패턴으로 아주 일반적인 메모리 기판이고, A1은 ECC 메모리를 위한 패턴. A3는 메모리 모듈 4개를 묶는 패턴이다. 이 패턴에 따라 메모리 오버클럭의 파라미터가 달라질 수 있나보다.

 

  대부분의 경우엔 A0 등거리 패턴이 기준이 된다고 한다.

 

 

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라이젠 메모리 안정화.

기타 2019. 4. 26. 08:32 |

 바이오스 업데이트를 통해 많이 안정화되었지만 더 안정화가 필요할 경우라면 tRCDWR 값을 +1 해주면 되는 것 같다. tRCDRD는 전혀 안정화에 도움이 안되었고, tRCDWR 값을 수정해야 도움이 되었다. tRP나 tRAS값을 증가시키는 것보다 나은 듯.

 tRCDWR은 tRCDRD값을 같은 값으로 만들어서 tRCDRD값은 따로 수정하지 않아도 된다.

 

 메모리칩에 따라 다르겠지만 여튼 마이크론 램칩을 사용한 모듈에서는 그랬다.

 

 라이젠 1000번대의 문제인가? 라이젠 3000번대 나오면 갈아타야겠다 =ㅅ=;

 

 메모리 문제이거나 Wake up쪽에 문제인 듯, 자주 sleep모드로 떨어졌다 깨어나면 확률적으로 문제가 가끔 생긴다. 왜 메모리 오류인지는...

 

 역시 갈아타야겠다.

 

 임시적으로 절전모드가 아닌 최대 절전 모드를 사용. 둘의 다른 점은 절전모드는 램에 데이터를 남겨두는 방식이고, 최대 절전 모드는 하드디스크에 이미지 파일을 만들어 메모리 내용을 저장하는 방식.

 

 하이브리드 절전 모드 전환 설정은 수동으로 해야한다.

 

 전원 설정에서 램에 내용을 그대로 두는 절전 모드를 사용 안함으로 하고, 하드디스크에 내용을 저장하는 하이브리드 절전을 켜고 시간을 설정한다.

 

 (편집) 메인보드의 바이오스의 문제인 듯. 다른 메인보드에서도 다른 증상의 문제가 발생한다. 이미 해결된 베타 바이오스들이 있다는데 다음 바이오스 업데이트에서는 해결되기를 바랄 뿐.

 그때까지는 최대 절전 모드를 사용하는 것이 좋을 것 같다.

 

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라이젠의 메모리 오버클럭 가이드란게 새로 올라왔다. 긴 내용은 길어서 생략하고 팁 만 찾아봤다.


https://www.techpowerup.com/reviews/AMD/Ryzen_Memory_Tweaking_Overclocking_Guide/7.html



개인적으로 메모리는 안정성이 가장 중요하다고 생각.


대충 내용을 간략하게 적는다면,


 - 제대로 부팅을 하지 않거나 BSOD가 일어나면 ProcODT와 RTT 저항값의 설정이 필요하다.

 - 어쩌다 한번씩 일어나는 오류는 tFAW를 tRDDS * 4 <= tFAW <= tRDDS * 6 의 범위에 설정하고, tRDDS 값을 1이나 2를 증가시키거나 혹은 tRTP값을 1/2 tWR~ 12 사이의 값으로 설정한다.

 - tRCDRD와 tRP를 1증가시키면 안정성이 늘어나고 메모리 필요 전압값을 낮출 수 있다.

 - VDDP는 시스템 안정성을 증가시킨다. 855~950mV 사이로 설정하고, 설정할 땐 10에서 15mV 단위로 증가시킨다.

 - RTT_PARK나 ProcODT의 높은 값은 안정성을 증가시킨다.

 - 권장 CLDO_VDDP값은 다음과 같다. 기본값 (850 mV), 950 mV, 945 mV, 940 mV, 915 mV, 905 mV, 895 mV, 865 mV, and 840 mV. 이 값을 메모리 클럭에 따라 신호 범위가 달라지는 것으로 대부분 일부러 손댈 필요가 없다.

 - CAD_BUS 값은 2개 램 장착일 땐 24 30 24 24, 4개 램 장착일 땐 24 20 24 24 값이 유용한 값이다. 이 설정으로 살짝 효과를 본 것 같은데 확실하지 않아서 그냥 그대로 사용 중. 대부분 램이 2개라서 30값이면 될 듯.


 대충 이 정도가 쓸모있는 팁인 것 같다.


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 최근 다시 M사의 바이오스가 업데이트.

 이전 바이오스 업데이트에서는 코어 전압의 offset모드를 넣었고, 이번에는 A-XMP가 다시 작동하도록 메모리 호환성을 개선함.

 1004 AGESA 시절부터 A-XMP가 잠겼던 메모리 모델은 이제 다시 사용할 수 있게 되었다.


 한걸음 더 완전하고 설정이 편리하게 바이오스의 업데이트가 된 셈.


 아마도 vdroop쪽의 기본값 최적화 설정이 된 것 같다.


 ProcODT 조정없이 안정화 되었는지 다시금 체크.


(편집) 아마 램이 뿔딱인가보다. 다시 53.3 -> 60으로 설정. 예전엔 부팅시에 심각할 정도의 문제가 있었지만 새로운 바이오스에서 그 문제는 사라진 듯. 하지만 미세한 락업이 있어서 다시 설정.

 당분간 다시 자동 설정을 믿어보기로 함.


(편집) 이제는 60으로 맞추면 오히려 문제가 생긴다. 결론적으로 새로운 바이오스 업데이트로 더이상 이 부분을 손댈 필요가 없어졌다.



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 AGESA 1.0.7.2a의 테스트 바이오스에 관한 글들을 찾다가 메모리 온도와 지터에 대한 새로운 글을 찾았다.


http://www.overclock.net/t/1640919/ryzen-dram-calculator-overclocking-dram/450



 메모리 모듈의 온도가 올라가는 것으로 메모리쪽에 지터가 생기는데 이것으로 인해 메모리 에러가 생긴다. 그것을 막기 위해서는 방열판으로 충분히 메모리 모듈을 냉각시키거나 혹은 메모리 전압을 낮추거나 혹은 메모리 컨트롤러의 값을 조정하는 것이 필요하다.


 만약 방열판으로도 메모리 온도를 섭씨 50도 이하로 만들지 못할 경우에는 CAD BUS Strength의 값을 조정해야 한다. 메모리 모듈 온도 섭씨 58.3도에서도 지터 문제가 생기지 않는 CAD BUS Strength 값은 20 20 20 20으로 조정하면 된다.


 다르게 Command Rate를 2T로 하는 방법도 있으나 안정성으로 성능을 버리는 설정으로 크게 추천하지 않는다.


 이 글 덕분에 알 수 없던 메모리 설정에 대한 궁금증 하나가 더 해결.


(편집) AGESA 1.0.7.2a는 CPU Ratio버그가 있는 것으로 많은 제조사의 바이오스 업데이트에서 문제가 있는게 발견.


 (편집) CAD strength의 값들은 어지간해서는 건드리지 않는게 좋은 것 같다. 오히려 건드리면 성능이 하강되는 결과도 나오는데 2번째 값(메모리 어드레스 신호)과 4번째 값(메모리 칩 활성화 신호)이 큰 영향을 미치는 듯.


 (편집) MSI의 새로운 AGESA업데이트는 내년 1월초라는 소문이 있는데 대충 3개월 간격의 업데이트가 있었던걸 생각하면 대충 그때쯤인 듯.


 (편집) 온도 변화에 대한(?) 안정화의 최종의 설정은 메모리 +0.01V / SoC + 0.03(+0.025)V / Power Down Enable -> False



Posted by 파르셀수스

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