혼용해서 메모리를 쓰는 경우에는 젠2는 좀 더 엄격한 구성을 필요로 하는 것 같다.

 

 젠+의 경우에는 CPU에 가까운 메모리 슬롯에 타이밍이 느린 램(SPD 정보에서 ns 타이밍이 높은 램)을 꽂고

 젠2의 경우에는 CPU에 가까운 메모리 슬롯에 타이밍이 빠른 램(SPD 정보에서 ns 타이밍이 낮은 램)을 꽂는게 더 안정적인 것 같다.

 

 메모리 컨트롤러의 미세한 차이가 있는 듯.

 

 Micron 모듈의 램이 다 그런건 아니겠지만 조금 오래된 램들(2017년 이전)은 tRDDS 값을 +1 해주는 것이 tRC나 tRAS를 +1 해주는 것보다 나은 것 같다. RDDS는 뱅크 사이의 RAS 딜레이 값인데 같은 뱅크의 RAS 딜레이 값인 tRDDL과는 비슷한 기능의 다른 값이다. tRDDS를 설정할 때 주의점은 tRDDS * 4의 값이 tFAW에서 2를 뺀 값과 비슷해야 한다(+2로 여유분을 두는 듯). tRDDS * 4 값이 tFAW 값보다 크면 안된다.

 

 03/17

 tRDDS로도 12일 정도가 지나자 레어 오류가 나와서 tFAW를 +1하고 테스트. 램컨 특성이라는게 참.

 tFAW는 전체 뱅크를 한번 돈다는 느낌으로 tRDDS * 4이지만 안정화에 tRDDS * 5나 tRDDS * 8로 설정하곤 함.

 

 03/23

 Zen2 메모리 안정화에는 tFAW 조정만큼 좋은게 없는 것 같다. 특히 XMP프로파일이 아니더래도 XMP의 클럭을 사용하는 경우에는 tFAW는 tRDDS * 5.5 5.6 ~ tRDDS * 6 혹은 tFAW(min) + tRDDS + 2 으로 해주면 훨씬 안정적인 상태가 되는 것 같다.

 

 03/28

 tFAW+1를 늘리는 것은 LiveKernelEvent 144(대부분은 그래픽카드 오류)를 제거하는데 효과적. wakeup이후에 여전히 발생하긴 하는데 그 오류가 딱 한번만 발생하고 안정화된다. tFAW+2를 하면 wakeup 이후에도 거의 발생하지 않는 것 같다.

 

 p.s.

 그냥 XMP램을 쓰면 SoC의 전압을 +0.02정도로 조금만 올려주는게 더 안정적인 듯. 다른 메모리 타이밍 문제가 아니었던 것 같다(수율 뽑기가 실패했다는 말도 된다).

 단, 타 메인보드 회사보다 인가 전압이 높다는 이야기가 있는 기가바이트 메인보드에서는 SoC전압값 올리는건 신중해야한다.

 

 

 

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 오랜동안 메모리 안정성에 대한 작업이 이루어졌지만 모든 메모리가 잘 맞는 것은 아니다.

 그래서 타이밍 외의 다른 메모리 컨트롤러의 값을 조정하여 안정화시키는 방법에 대한 내용을 보고 대충 이해한 부분만 대충 써본다.

 

 1. 메모리 타이밍의 경우에는 Tras 값을 늘리면 1차적인 타이밍 안정화가 이루어진다.

 2. 미세한 안정화를 위해 RTT PARK 값을 조정한다. 이는 시계의 분침 같은 것으로 ProcODT보다 세밀한 조정값이나 대부분 40~48만 사용한다. 더 높은 클럭의 경우에는 80까지 가는데 3200의 경우에는 48값을 넘을 일이 거의 없다.

 3. 그래도 안정화가 어렵다면 ProcODT값을 조정한다. 60이 한계값이나 더 높일수도 있다. 대부분 53.3이 기본값이다. ProcODT는 시계의 시침 같은 것으로 RTT PARK값보다 더 큰 값으로 단계를 조정한다. 40~60이 기본값이다.

 4. CAD 값은 초침 같은 것인데 값을 조정할 일이 없을 것이라 본다.

 

 미세한 안정성에는 RTT PARK 값을 조정하고 부팅시 메모리 호환성과 안정성에는 ProcODT를 사용하면 좋다고 본다.

 RTT PARK나 ProcODT 모두 높은 값일수록 안정성을 향상시키지만 항상 그 한계치가 있다는 것도 명심해야 한다.

 

 

 

 

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 아주 늦게서야 누군가의 마이크론 램 특성에 관한 내용을 읽었다. 마이크론 램이 라이젠에서는 tRC와 tRAS 특성이 나빠서 낮추면 안되고, 오히려 늘려야 한다는 내용.

 기본 메모리 스펙에서도 1씩 늘려주는 것이 좋다. tRAS가 이런 특성의 원인이고, tRC는 tRAS에 따른 값이기 때문에 이런 특성을 같이 가지게 된다.

 

 간단히 tRAS와 tRC를 1씩 늘리면 시스템 안정성이 상당히 개선이 된다. 특히 APU를 사용하는 시스템에서는 이런 특성 차이가 내장 그래픽 처리 부분에서 간혹 나타나는데 간혹 아이콘이 그래픽에서 수직 라인이 깨지는 현상이 나타나면 이런 메모리 타이밍이 안정하지 못해서 나오는 결과이다.

 

 (설명 추가) 이런 tRAS 특성탓인지 램의 SPD 정보를 보면 tRC = tRP + tRAS라는 기본 메모리 타이밍 공식에 살짝 어긋나는 타이밍을 가진다. 마이크론 메모리에서 SPD정보는 tRC는 tRP + rRAS보다 1이 낮은 값을 가지곤 한다. 결론적으로 tRC도 SPD의 tRC값에 +1을 더해주면 된다.

 

 결국 삼성램이 최고인가 =ㅅ=;

 

 

Posted by 파르셀수스

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출처 : https://www.overclock.net/forum/11-amd-motherboards/1733304-agesa-fw-stack-patched-bioses-3rd-gen.html

 

 M사의 라이젠 바이오스 업데이트가 너무 느려지고 있는데, AMD 꽤 하드웨어에 정통한 유저가 바이오스를 개조해서 만들어주고 있다.

 SMU를 46.49로 업데이트하면 boost 클럭 특성이 좋아지는데, 부스트 최대 클럭은 물론 아이들 상태에서 생기는 높은 전압과 높은 클럭으로 동작하는 문제를 없애준다.

 다행히 M사의 바이오스는 이러한 개조를 하는데 큰 문제가 없는 듯 싶다.

 

 어쨌던 개조 바이오스라서 위험이 없는 것은 아니다.

 M-Flash로 문제없이 업데이트 되고 다시 정식 바이오스로 돌릴 수 있으니 큰 문제는 아니라고 본다.

 

 구형 라이젠 보드에서 M사의 바이오스 업데이트를 기다리다 지친 분들에겐 좋은 소식이 될 듯.

 

 

Posted by 파르셀수스

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 M사의 바이오스가 곧 나올 예정인지 페이지에서 이전의 ComboPI 1.0.0.1을 내렸다.

 이야기에는 이 1.0.0.1 베타 바이오스는 라이젠 3000 마이크로코드가 내장되지 않아서 제대로 동작하지 않는다는 이야기가 있음. 그래서 어느 브랜드 메인보드 말고는 ComboPI 1.0.0.2나 1.0.0.3을 새로운 바이오스에 업데이드 중이거나 업데이트를 했다.

 문제가 없다면 7월 7일 이전에 대부분 나올 것으로 예상한다.

 

(편집) 다음으로 안정한 AGESA는 1.0.0.3AB로 나온다. 현재 많이 1.0.0.3로 업데이트된 바이오스에서는 메모리쪽이나 부스트 기능 쪽에 문제가 있었던 듯. A사와 G사는 이 AGESA 1.0.0.3AB로 업데이트를 하기 시작했다. NDA 때문에 확실하게 어떤 기능이 개선되었는지 분명하게 언급되지는 않고 있다. https://www.reddit.com/r/Amd/comments/c9wz58/1usmus_reassuring_statement_to_zen2_bios/

 

1usmus' Reassuring Statement to Zen2 Bios'

Posted in r/Amd by u/Charder_ • 106 points and 72 comments

www.reddit.com

(편집) M사의 공개되지 않은(?) 라이젠 3000 바이오스는 여기서 링크를 찾을 수 있다. https://www.hardwareluxx.de/community/f12/ultimative-am4-uefi-bios-ubersicht-05-07-19-a-1228903.html

 차후에 다시 업데이트가 있겠지만, 일단 임시로 업그레이드나 테스트를 해볼 수 있다. UI는 많은 부가기능이 제거되어 가볍게 바뀌어서 처음엔 덜 친숙한 느낌으로 다가온다.

 

(편집) 라이젠 3세대가 성능이 좋은 이유를 기술적으로 설명한 글. https://fuse.wikichip.org/news/2458/a-look-at-the-amd-zen-2-core/

L1 캐시메모리의 크기를 줄였지만 4way->8way로 개선했고, 분기예측 알고리즘의 개선, 경쟁사보다 컸던 OP캐시를 다시 2배 증가, 정수연산 기능 개선, 부동소수점 연산을 커피레이크 수준으로 개선 등등 너무나도 많은 개선이 이루어졌다.

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 라이젠 3000번대를 지원하는 베타 바이오스에서는 ProcODT나 몇몇 값들은 이제 Ryzen Timing Checker로 확인할 수 없게 되었다. 개발자는 공개 문서가 없는터라 그 값을 가져올 수 있는 방법이 없다고 한다.

 120으로 표기된 값도 정확한게 아니고 RTT값도 정확한게 아니다.

 

 여튼 새로운 ComboPi로 나온 베타 바이오스에서 wakeup을 자주하면 생기던 문제는 대충 해결된 것 같다.

 언제 다시 생길려는지 모르지만 라이브 비디오 재생에 간혹 생기던 끓는 듯한 사운드 노이즈는 아예 사라졌다.

 대부분 그 노이즈가 생기면 랜덤으로 다음 콜드부팅 때에 예기치 않은 블루스크린 문제가 생겼는데 이제는 없는 것 같다.

 

 일단 더 두고봐야겠다.

 

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라이젠 메모리 안정화.

기타 2019. 4. 26. 08:32 |

 바이오스 업데이트를 통해 많이 안정화되었지만 더 안정화가 필요할 경우라면 tRCDWR 값을 +1 해주면 되는 것 같다. tRCDRD는 전혀 안정화에 도움이 안되었고, tRCDWR 값을 수정해야 도움이 되었다. tRP나 tRAS값을 증가시키는 것보다 나은 듯.

 tRCDWR은 tRCDRD값을 같은 값으로 만들어서 tRCDRD값은 따로 수정하지 않아도 된다.

 

 메모리칩에 따라 다르겠지만 여튼 마이크론 램칩을 사용한 모듈에서는 그랬다.

 

 라이젠 1000번대의 문제인가? 라이젠 3000번대 나오면 갈아타야겠다 =ㅅ=;

 

 메모리 문제이거나 Wake up쪽에 문제인 듯, 자주 sleep모드로 떨어졌다 깨어나면 확률적으로 문제가 가끔 생긴다. 왜 메모리 오류인지는...

 

 역시 갈아타야겠다.

 

 임시적으로 절전모드가 아닌 최대 절전 모드를 사용. 둘의 다른 점은 절전모드는 램에 데이터를 남겨두는 방식이고, 최대 절전 모드는 하드디스크에 이미지 파일을 만들어 메모리 내용을 저장하는 방식.

 

 하이브리드 절전 모드 전환 설정은 수동으로 해야한다.

 

 전원 설정에서 램에 내용을 그대로 두는 절전 모드를 사용 안함으로 하고, 하드디스크에 내용을 저장하는 하이브리드 절전을 켜고 시간을 설정한다.

 

 (편집) 메인보드의 바이오스의 문제인 듯. 다른 메인보드에서도 다른 증상의 문제가 발생한다. 이미 해결된 베타 바이오스들이 있다는데 다음 바이오스 업데이트에서는 해결되기를 바랄 뿐.

 그때까지는 최대 절전 모드를 사용하는 것이 좋을 것 같다.

 

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라이젠의 메모리 오버클럭 가이드란게 새로 올라왔다. 긴 내용은 길어서 생략하고 팁 만 찾아봤다.


https://www.techpowerup.com/reviews/AMD/Ryzen_Memory_Tweaking_Overclocking_Guide/7.html



개인적으로 메모리는 안정성이 가장 중요하다고 생각.


대충 내용을 간략하게 적는다면,


 - 제대로 부팅을 하지 않거나 BSOD가 일어나면 ProcODT와 RTT 저항값의 설정이 필요하다.

 - 어쩌다 한번씩 일어나는 오류는 tFAW를 tRDDS * 4 <= tFAW <= tRDDS * 6 의 범위에 설정하고, tRDDS 값을 1이나 2를 증가시키거나 혹은 tRTP값을 1/2 tWR~ 12 사이의 값으로 설정한다.

 - tRCDRD와 tRP를 1증가시키면 안정성이 늘어나고 메모리 필요 전압값을 낮출 수 있다.

 - VDDP는 시스템 안정성을 증가시킨다. 855~950mV 사이로 설정하고, 설정할 땐 10에서 15mV 단위로 증가시킨다.

 - RTT_PARK나 ProcODT의 높은 값은 안정성을 증가시킨다.

 - 권장 CLDO_VDDP값은 다음과 같다. 기본값 (850 mV), 950 mV, 945 mV, 940 mV, 915 mV, 905 mV, 895 mV, 865 mV, and 840 mV. 이 값을 메모리 클럭에 따라 신호 범위가 달라지는 것으로 대부분 일부러 손댈 필요가 없다.

 - CAD_BUS 값은 2개 램 장착일 땐 24 30 24 24, 4개 램 장착일 땐 24 20 24 24 값이 유용한 값이다. 이 설정으로 살짝 효과를 본 것 같은데 확실하지 않아서 그냥 그대로 사용 중. 대부분 램이 2개라서 30값이면 될 듯.


 대충 이 정도가 쓸모있는 팁인 것 같다.


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 최근 다시 M사의 바이오스가 업데이트.

 이전 바이오스 업데이트에서는 코어 전압의 offset모드를 넣었고, 이번에는 A-XMP가 다시 작동하도록 메모리 호환성을 개선함.

 1004 AGESA 시절부터 A-XMP가 잠겼던 메모리 모델은 이제 다시 사용할 수 있게 되었다.


 한걸음 더 완전하고 설정이 편리하게 바이오스의 업데이트가 된 셈.


 아마도 vdroop쪽의 기본값 최적화 설정이 된 것 같다.


 ProcODT 조정없이 안정화 되었는지 다시금 체크.


(편집) 아마 램이 뿔딱인가보다. 다시 53.3 -> 60으로 설정. 예전엔 부팅시에 심각할 정도의 문제가 있었지만 새로운 바이오스에서 그 문제는 사라진 듯. 하지만 미세한 락업이 있어서 다시 설정.

 당분간 다시 자동 설정을 믿어보기로 함.


(편집) 이제는 60으로 맞추면 오히려 문제가 생긴다. 결론적으로 새로운 바이오스 업데이트로 더이상 이 부분을 손댈 필요가 없어졌다.



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 오버클럭커나 하이엔드 유저가 그렇게 항상 바라던 타 회사 메인보드에는 있으나 M사 보드에만 없었던 코어 전압의 오프셋 전압을 최근 바이오스에서 지원하기 시작했다.


 M사 유저가 그렇게 바라던 기능으로 이제 PBO관련한 타사와 비교되는 문제에서 자유로워졌다.


 처음에 몰랐는데, 모니터링 프로그램에서 예전보다 몇몇 부하 구간에서 많게 0.4볼트 낮게 걸리는 전압이 이상하다했다.


 이 새로운 바이오스에 먼저 소식을 전한 것은 레딧 유저.


(편집)


 완벽한 바이오스인 것 같았는데 약간의 문제가 있는 듯. 오랜동안 시스템을 껐다가 켜면 얼어버리는 현상이 발생하는데 아마도 메모리 쪽 설정의 문제인  것 같다. ProcODT 60으로 주고 테스트.


 ProcODT값은 정말 궁합이 안맞는다는 하이닉스 모듈램에서는 60~68.6을 주는 값. 오랜동안 사용하지 않은 상태에서의 온도가 저항치 오차를 줘서 그런 듯 한데 더 테스트해봐야겠다.


 대충 가설은 반도체 내부 저항이면 더 높았을 것이고 외부저항이면 더 낮았을텐데 이 ProcODT값과 관련된 부품이 어딘지 모르겠다.



(편집)


 어디가 문제였던 일단 ProcODT값을 60으로 주는 것으로 다시 시스템 안정화는 성공. 램 모듈과 램클럭에 따라 53.3/60/68.6 중에 하나로 조정하면 될 듯.


(편집)


 ProcODT의 60은 문제없이 동작하는 것을 확인하고 68.6을 테스트. 53.3은 나중에 테스트.


 40이하의 값은 사실 무의미하므로 사용하지 말아야 함.

 60값은 스톡쿨러로 사용할 수 있는 최대값.

 68.6은 하이엔드 쿨러를 사용할 경우.

 80에 가까운 값은 수냉쿨러를 사용하는 경우의 최대값임.


 그냥 60을 쓰기로 했다. 나중에 60이 문제가 생기면 53.3으로 내리면 그만.


 대충 삼성램을 기준으로 ProcODT값은 이렇다.


Samsung B (SR) 2x8GB 53.3 Ohm
Samsung B (DR) 2x16GB 80/96 Ohm
Samsung B (DR) 4x16GB 43.6 Ohm


 기본값은 53.3이 주로 사용되는 듯. 높을수록 높은 램클럭에 적용하기 쉽지만 너무 높으면 신호 문제를 일으킬 수 있다. 그리고 램이 싱글랭크(단면)면 작지만 듀얼랭크(양면)가 되면 이 값은 커진다. 보드마다 다르기 때문에 정확히 어떤 값이라고 하기엔 힘들다. 96을 넘으면 신호 문제가 나타나기 때문에 권장하지 않는다고 함. 단면 2개 슬롯을 꽂을 경우엔 50~60을 AMD에서 추천하는 듯. 하이닉스 램의 경우에는 40부터 시작한다.

 그리고 이 값이 안정적으로 적용되기 위해서는 싱글랭크(단면)와 듀얼랭크(양면)를 절대 혼용하면 안된다.


ProcODT값을 확인하기 위해서는 Ryzen Timing Checker라는 것을 사용하면 된다.

그럼 자동으로 잡히는 기본값을 얻을 수 있고 그 값보다 더 큰 값을 결정하면 된다.


https://www.techpowerup.com/download/ryzen-timing-checker/


현재는 1.05 가 가장 최신.


(편집)


 또 하나의 조건이 필요한 것 같다. M사의 버그일지 모르지만, VCore Voltage Mode는 Auto가 아닌 Offset Mode이어야 한다.

 VCore Voltage Mode가 Auto일 경우에는 동작하지 않는 것 같다.


(편집)

 Rtt_Nom은 30정도로 하는게 익스트림 정도의 높은 메모리 클럭에 도움이 되기도 하나 3200이하에서는 Auto로 두는 것이 좋다. 개인적으로는 이 Rtt_Nom을 건드리는 것은 실패.


 이 문제가 생긴게 파워서플라이를 바꾸고 나서 몇몇 전원 전압이 살짝 상향되는 것으로 나타난 것 같다. 램쪽이나 CPU SoC쪽에 전원부의 미세한 전압 변화가 요인이 되는 듯.


(편집)


 제조사의 메모리 인식 순서의 차이인지 램의 타이밍이 미세한 차이가 있다면 먼저 인식시키고 싶은 램을 더 높은 번호의 램슬롯에 장착하면 좋다. 이는 미세한 타이밍의 차이를 극복할 수 있는 방법이 됨.


(편집)

 온도차 문제도 아니고 그냥 예전부터 불안정했던 것을 모르고 있었던 듯. 미세한 문제가 있었는데 그 문제가 이 ProcODT 문제였다는 것을 이제서야 깨달음. M사가 새로운 메모리 호환성 바이오스를 내놓고 있는데 나오면 더 테스트를 해봐야겠다.

 일단 2슬롯 비인증 단면램이면 삼성과 마이크론 램은 60, 하이닉스 램은 68.6으로 맞추면 될 것 같다.


 이걸 맞추고 나서 부팅때 어느날 갑자기 생긴 이상한 디스크 읽기 에러라던가 오랜동안 사용하고난 후의 갑작스런 락업이 다 이 문제였던 것 같다. 바탕화면 락업은 그래픽카드 드라이버와 브라우져 호환성으로 생각하고 있었는데 ProcODT 재설정 후에는 아예 일어나지 않는 것을 보면 확실히 ProcODT 안정성 문제였던 것 같다.

  여튼 문제가 완전하게 해결. 다음 바이오스 업데이트 때에는 어떻게 될련지.


(편집)

 CL, RCD, RP가 홀수인 경우에 해주면 좋은 것 같다. 라이젠은 홀수를 무척 싫어하는 듯.


(편집)

 CL, RCD, RP, RAS등의 타이밍을 좀더 타이트하게 줄여보고 싶다면 ProcODT를 한단계 올리는 것도 좋은 듯. 홀수에서 낮은 짝수로 타이밍을 한단계 아래로 내리고 ProcODT를 올리는 방법도 가능한 듯 싶다.


 램 타이밍을 줄이는 것은 좋은 생각이 아닌 듯.


(편집)

 램타이밍을 줄이는데는 CL + RAS를 더한 뒤, 줄어든 CL 값을 빼면 되는 것 같다.

 RAS_NEW = CL + RAS - CL_NEW

 대충 이런식인 듯. RCD, RP는 더하거나 그대로 두거나 해야 하는 듯.


 ProcODT가 맞는 상한값인지 확인하는데는 재부팅하는 방법도 있다. 너무 높은 값의 경우엔 재부팅하면 부팅도중 윈도우즈 로딩도 안되고 블랙스크린이 되면 맞지 않는 값이다. 안정성 문제를 해결하기 위해서 1단계 이상 올리면 좋지 않다. 이렇게 블랙스크린 상태가 되면 전원 버튼으로 완전히 끄고 다시 부팅해서 바이오스로 진입해야 한다.





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