2019.01.06 21:55

M사 바이오스가 드디어 오프셋 전압을 지원.

 오버클럭커나 하이엔드 유저가 그렇게 항상 바라던 타 회사 메인보드에는 있으나 M사 보드에만 없었던 코어 전압의 오프셋 전압을 최근 바이오스에서 지원하기 시작했다.


 M사 유저가 그렇게 바라던 기능으로 이제 PBO관련한 타사와 비교되는 문제에서 자유로워졌다.


 처음에 몰랐는데, 모니터링 프로그램에서 예전보다 몇몇 부하 구간에서 많게 0.4볼트 낮게 걸리는 전압이 이상하다했다.


 이 새로운 바이오스에 먼저 소식을 전한 것은 레딧 유저.


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 완벽한 바이오스인 것 같았는데 약간의 문제가 있는 듯. 오랜동안 시스템을 껐다가 켜면 얼어버리는 현상이 발생하는데 아마도 메모리 쪽 설정의 문제인  것 같다. ProcODT 60으로 주고 테스트.


 ProcODT값은 정말 궁합이 안맞는다는 하이닉스 모듈램에서는 60~68.6을 주는 값. 오랜동안 사용하지 않은 상태에서의 온도가 저항치 오차를 줘서 그런 듯 한데 더 테스트해봐야겠다.


 대충 가설은 반도체 내부 저항이면 더 높았을 것이고 외부저항이면 더 낮았을텐데 이 ProcODT값과 관련된 부품이 어딘지 모르겠다.



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 어디가 문제였던 일단 ProcODT값을 60으로 주는 것으로 다시 시스템 안정화는 성공. 램 모듈과 램클럭에 따라 53.3/60/68.6 중에 하나로 조정하면 될 듯.


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 ProcODT의 60은 문제없이 동작하는 것을 확인하고 68.6을 테스트. 53.3은 나중에 테스트.


 40이하의 값은 사실 무의미하므로 사용하지 말아야 함.

 60값은 스톡쿨러로 사용할 수 있는 최대값.

 68.6은 하이엔드 쿨러를 사용할 경우.

 80에 가까운 값은 수냉쿨러를 사용하는 경우의 최대값임.


 그냥 60을 쓰기로 했다. 나중에 60이 문제가 생기면 53.3으로 내리면 그만.


 대충 삼성램을 기준으로 ProcODT값은 이렇다.


Samsung B (SR) 2x8GB 53.3 Ohm
Samsung B (DR) 2x16GB 80/96 Ohm
Samsung B (DR) 4x16GB 43.6 Ohm


 기본값은 53.3이 주로 사용되는 듯. 높을수록 높은 램클럭에 적용하기 쉽지만 너무 높으면 신호 문제를 일으킬 수 있다. 그리고 램이 싱글랭크(단면)면 작지만 듀얼랭크(양면)가 되면 이 값은 커진다. 보드마다 다르기 때문에 정확히 어떤 값이라고 하기엔 힘들다. 96을 넘으면 신호 문제가 나타나기 때문에 권장하지 않는다고 함. 단면 2개 슬롯을 꽂을 경우엔 50~60을 AMD에서 추천하는 듯. 하이닉스 램의 경우에는 40부터 시작한다.

 그리고 이 값이 안정적으로 적용되기 위해서는 싱글랭크(단면)와 듀얼랭크(양면)를 절대 혼용하면 안된다.


ProcODT값을 확인하기 위해서는 Ryzen Timing Checker라는 것을 사용하면 된다.

그럼 자동으로 잡히는 기본값을 얻을 수 있고 그 값보다 더 큰 값을 결정하면 된다.


https://www.techpowerup.com/download/ryzen-timing-checker/


현재는 1.05 가 가장 최신.


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 또 하나의 조건이 필요한 것 같다. M사의 버그일지 모르지만, VCore Voltage Mode는 Auto가 아닌 Offset Mode이어야 한다.

 VCore Voltage Mode가 Auto일 경우에는 동작하지 않는 것 같다.


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 Rtt_Nom은 30정도로 하는게 익스트림 정도의 높은 메모리 클럭에 도움이 되기도 하나 3200이하에서는 Auto로 두는 것이 좋다. 개인적으로는 이 Rtt_Nom을 건드리는 것은 실패.


 이 문제가 생긴게 파워서플라이를 바꾸고 나서 몇몇 전원 전압이 살짝 상향되는 것으로 나타난 것 같다. 램쪽이나 CPU SoC쪽에 전원부의 미세한 전압 변화가 요인이 되는 듯.


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 제조사의 메모리 인식 순서의 차이인지 램의 타이밍이 미세한 차이가 있다면 먼저 인식시키고 싶은 램을 더 높은 번호의 램슬롯에 장착하면 좋다. 이는 미세한 타이밍의 차이를 극복할 수 있는 방법이 됨.


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 온도차 문제도 아니고 그냥 예전부터 불안정했던 것을 모르고 있었던 듯. 미세한 문제가 있었는데 그 문제가 이 ProcODT 문제였다는 것을 이제서야 깨달음. M사가 새로운 메모리 호환성 바이오스를 내놓고 있는데 나오면 더 테스트를 해봐야겠다.

 일단 2슬롯 비인증 단면램이면 삼성과 마이크론 램은 60, 하이닉스 램은 68.6으로 맞추면 될 것 같다.


 이걸 맞추고 나서 부팅때 어느날 갑자기 생긴 이상한 디스크 읽기 에러라던가 오랜동안 사용하고난 후의 갑작스런 락업이 다 이 문제였던 것 같다. 바탕화면 락업은 그래픽카드 드라이버와 브라우져 호환성으로 생각하고 있었는데 ProcODT 재설정 후에는 아예 일어나지 않는 것을 보면 확실히 ProcODT 안정성 문제였던 것 같다.

  여튼 문제가 완전하게 해결. 다음 바이오스 업데이트 때에는 어떻게 될련지.


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 CL, RCD, RP가 홀수인 경우에 해주면 좋은 것 같다. 라이젠은 홀수를 무척 싫어하는 듯.


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 CL, RCD, RP, RAS등의 타이밍을 좀더 타이트하게 줄여보고 싶다면 ProcODT를 한단계 올리는 것도 좋은 듯. 홀수에서 낮은 짝수로 타이밍을 한단계 아래로 내리고 ProcODT를 올리는 방법도 가능한 듯 싶다.


 램 타이밍을 줄이는 것은 좋은 생각이 아닌 듯.


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 램타이밍을 줄이는데는 CL + RAS를 더한 뒤, 줄어든 CL 값을 빼면 되는 것 같다.

 RAS_NEW = CL + RAS - CL_NEW

 대충 이런식인 듯. RCD, RP는 더하거나 그대로 두거나 해야 하는 듯.


 ProcODT가 맞는 상한값인지 확인하는데는 재부팅하는 방법도 있다. 너무 높은 값의 경우엔 재부팅하면 부팅도중 윈도우즈 로딩도 안되고 블랙스크린이 되면 맞지 않는 값이다. 안정성 문제를 해결하기 위해서 1단계 이상 올리면 좋지 않다. 이렇게 블랙스크린 상태가 되면 전원 버튼으로 완전히 끄고 다시 부팅해서 바이오스로 진입해야 한다.





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2018.12.27 16:07

CWT OEM 파워.

 최근 저렴한 CWT 파워를 구입. 처음엔 모르고 지나갔는데 특유의 PWM 노이즈가 들린다.

 PWM 주파수가 어느 정도 높아도 낮은 PWM 영역에서는 이 소음은 어쩔 수 없다.

 어쨌던 유통사는 이것을 모르는 듯.


 PWM 신호를 선형적인 전압으로 바꾸는 회로를 찾았고 언제 소음이 정말 거슬리면 테스트를 해봐야겠다.


 

출처 : https://www.maximintegrated.com/en/app-notes/index.mvp/id/3149



Q1 트랜지스터 모듈은 NPN과 PNP가 같이 있는 것일 뿐, 맞는 짝을 사용하면 되는 것 같다. Q2는 쿨링팬의 전류를 넘지않는 300mA 이상의 값을 가지는 P채널 FET나 트랜지스터를 사용하면 될 것 같다.



출처 : https://electronics.stackexchange.com/questions/152961/providing-a-linear-adjustable-dc-voltage-from-pwm-1-5v-to-3-3v



 다르게 OP-AMP로 만들어진 방법도 있는데, OP-AMP의 출력을 아래의 리플 제거 회로에 물리면 팬을 돌릴 전류를 문제없이 만들어낼 것 같다.



 언제 테스트하려고 만들지 모르지만 기록해두기.


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2018.12.25 10:59

리플 필터



 간단한 리플필터. 캐패시터 멀티플라이어라고도 말하기도 한다.

 부하에 입력 리플 전압이 증폭되는 것을 막아주는 방법으로 Q의 hfe * C1의 값으로 캐패시던스가 증가한다고 하는데 실제로는 필터로 Q를 드라이빙하는 방법이다.

 C1이 크면 클수록 리플 노이즈는 0에 가까워진다.

 이 구성은 전원 레귤레이터의 전류를 높이기 위해서도 자주 쓰이는 패턴으로 자주 봤을 방법이다.

 Q1을 달링턴으로 하면 hfe 증가폭이 커서 더 효율적으로 리플을 잡을 수 있다.

 하지만 주의할 점은 출력엔 Q1의 스펙에 따라서 약간(-0.5~-0.7)의 전압강하가 일어난다.


 오디오 전원부 같은 곳에 유용할 수 있다.



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